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1N459T26R

更新时间： 2024-01-15 18:26:16

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德州仪器 - TI		/
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2页	36K
描述
0.2A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

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1N459T26R 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.62
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N459T26R 数据手册

High Conductance Low Leakage Diode

(continued)

Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min

Max Units

B_V

Breakdown Voltage

456/A

457/A

458/A

459/A

I = 100

I_R= 100 µA

150

200

I_R

Reverse Current

456/A

457/A

458/A

459/A

V_R= 25 V

V_R= 25 V, T_A= 150°C

V_R= 60 V

V_R= 60 V, T_A= 150°C

V_R= 125 V

V_R= 125 V, T_A= 150°C

V_R= 175 V

V_R= 175 V, T_A= 150°C

I_F= 40 mA

I_F= 10 mA

I_F= 7.0 mA

I_F= 3.0 mA

5.0

µA

V_F

Forward Voltage

456

457

458

1.0

6.0

459

456/A-459/A

I_F= 100 mA

V_R= 0, f = 1.0 MHz

C_O

Diode Capacitance

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N459T50A	FAIRCHILD	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35,	获取价格
1N459T50A	TI	0.2A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	获取价格
1N459-T50R	ONSEMI	高电导、低泄漏二极管	获取价格
1N459TR	FAIRCHILD	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35,	获取价格
1N459TR	ONSEMI	高电导、低泄漏二极管	获取价格
1N459X	MICROSEMI	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,	获取价格