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1N456AR

更新时间： 2024-01-10 13:12:58

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	121K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,

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1N456AR 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向电流：	0.025 µA	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N456AR 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N456AT26A	FAIRCHILD	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35	获取价格
1N456AT50R	TI	0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	获取价格
1N456ATR	FAIRCHILD	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-35	获取价格
1N456ATR	ONSEMI	高电导、低泄漏二极管	获取价格
1N456AX	MICROSEMI	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,	获取价格
1N456R	MICROSEMI	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,	获取价格

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