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1N4007H-T-B

更新时间： 2024-02-25 08:57:30

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美微科 - MCC		/
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3页	444K
描述
Rectifier Diode,

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1N4007H-T-B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.92	JESD-609代码：	e0
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

1N4007H-T-B 数据手册

M C C

Micro Commercial Components

1N4001H-T thru 1N4007H-T

Figure 1

Typical Forward Characteristics

Figure 2

Forward Derating Curve

1.2

1.0

Amps

25°C

Single Phase, Half Wave

60Hz Resistive or Inductive Load

.06

.04

100

125

150

175

°C

.02

.01

Average Forward Rectified Current - Amperes versus

Ambient Temperature - °C

1.4

1.0

1.2

Volts

Instantaneous Forward Current - Amperes versus

Instantaneous Forward Voltage - Volts

Figure 3

Junction Capacitance

100

T_J=25°C

200 400

1000

100

Volts

Junction Capacitance - pF versus

Reverse Voltage - Volts

www.mccsemi.com

Revision: 2

2004/03/30

123

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与1N4007H-T-B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N4007H-T-BP	MCC	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN	获取价格
1N4007H-TP	MCC	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN	获取价格
1N4007H-T-TP	MCC	暂无描述	获取价格
1N4007HW	FUTUREWAFER	1 A General Purpose Rectifier Diode	获取价格
1N4007ID	NXP	Rectifiers	获取价格
1N4007IDT/R	NXP	1A, 1000V, SILICON, SIGNAL DIODE	获取价格