1N4006-T3

更新时间： 2024-01-24 00:04:40

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WTE		整流二极管
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3页	54K
描述
1.0A SILICON RECTIFIER

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1N4006-T3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.03	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N4006-T3 数据手册

WTE

PO WER SEMICONDUCTORS

1N4001 – 1N4007

1.0A SILICON RECTIFIER

Features

Diffused Junction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Reliability

High Surge Current Capability

Mechanical Data

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

Weight: 0.35 grams (approx.)

Mounting Position: Any

DO-41

Dim

Min

25.4

4.06

0.71

2.00

Max

—

5.21

0.864

2.72

Marking: Type Number

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

4001

4002

4003

4004

4005

4006

4007

Characteristic

Symbol

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

280

1.0

Average Rectified Output Current

(Note 1)

@T_A= 75°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

I^FSM

Forward Voltage

@I_F= 1.0A

V^FM

I^RM

1.0

µA

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage @T_A= 100°C

@T_A= 25°C

5.0

Typical Junction Capacitance (Note 2)

C^j

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient

(Note 1)

R^ꢀ^JA

K/W

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

T^j

-65 to +125

-65 to +150

°C

T^STG

*Glass passivated forms are available upon request

Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case

2. Measured at 1.0 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.

1N4001 – 1N4007

1 of 3

12 3

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与1N4006-T3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N4006T50A	FAIRCHILD	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN	获取价格
1N4006T50R	FAIRCHILD	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN	获取价格
1N4006TA2B2	NIEC	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41,	获取价格
1N4006-TB	WTE	1.0A SILICON RECTIFIER	获取价格
1N4006T-G	COMCHIP	暂无描述	获取价格
1N4006-TP	MCC	1 Amp Rectifier 50 - 1000 Volts	获取价格

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