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1N3503

更新时间: 2024-02-07 11:36:25
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美高森美 - MICROSEMI 二极管测试
页数 文件大小 规格书
4页 159K
描述
CERTIFIED ZENER VOLTAGE STABILITY

1N3503 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.88
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-7JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:6.35 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:0.0635 mV/ °C最大电压容差:5%

1N3503 数据手册

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Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,