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1N3318B

更新时间: 2024-02-16 14:32:22
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CENTRAL 测试二极管
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5页 464K
描述
Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5, HERMETICALLY SEALED, METAL PACKAGE-1

1N3318B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.33
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:2.2 ΩJESD-30 代码:O-MUPM-D1
膝阻抗最大值:80 Ω元件数量:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:50 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:19 V
最大反向电流:5 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
电压温度Coeff-Max:14.25 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:660 mABase Number Matches:1

1N3318B 数据手册

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