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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.72 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.15 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N3070.TR | TI | 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| 1N3070-1 | MICROSEMI | SWITCHING DIODE |
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| 1N3070BKLEADFREE | CENTRAL | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
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| 1N3070T26R | TI | 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| 1N3070T50R | TI | 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| 1N3070TR | FAIRCHILD | Maximum Repetitive Reverse Voltage |
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