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1M120Z

更新时间： 2024-02-07 03:32:28

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TRSYS		稳压二极管
页数	文件大小	规格书
5页	351K
描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODE

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1M120Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.52	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	550 Ω
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	120 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	Pure Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	2 mA
Base Number Matches：	1

1M120Z 数据手册

1N4741A THRU 1M200Z

GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODE

VOLTAGE - 11 TO 200 Volts Power - 1.0 Watt

DO-41

FEATURES

Low profile package

Built-in strain relief

Glass passivated junction

Low inductance

Typical I_Rless than 5.0 A above 11V

High temperature soldering :

260 /10 seconds at terminals

Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

MECHANICAL DATA

Case: Molded plastic, DO-41

Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant

Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,

method 208 guaranteed

Polarity: Color band denotes cathode end

Mounting position: Any

Weight: 0.012 ounce, 0.3 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

SYMBOL

P_D

VALUE

1.0

6.67

UNITS

Watts

mW/

Peak Pulse Power Dissipation on T_A=50 (Note A)

Derate above 50

Peak forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load(JEDEC Method) (Note B)

Operating Junction and Storage Temperature Range

I_FSM

Amps

T_J,T_STG

-55 to +150

NOTES:

A. Mounted on 5.0mm²(.013mm thick) land areas.

B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

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