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1M120Z

更新时间: 2024-02-29 07:33:34
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TRSYS 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
5页 351K
描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODE

1M120Z 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.52外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:550 Ω
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:120 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Pure Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:5%工作测试电流:2 mA
Base Number Matches:1

1M120Z 数据手册

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RATING AND CHARACTERISTICS CURVES  
1N4741A THRU 1M200Z  
Fig. 5-MAXIMUM SURGE POWER  
Fig. 6-EFFECT OF ZENER CURRENT  
ON ZENER IMPEDANCE  
Fig. 7-EFFECT OF ZENER VOLTAGE  
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