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1B08STR16

更新时间： 2024-01-13 22:27:14

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	53K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon, SURFACE MOUNT, DIP-4

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技术参数
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1B08STR16 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.72
其他特性：	LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流：	31 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	800 V	最大反向电流：	0.000005 µA
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

1B08STR16 数据手册

1B SERIES

Bulletin E2788 rev. D 04/00

Voltage Specifications

Part Number

V_RRM. Maximum repetitive

V_RSM. Maximum non-

repetitive peak

reverse voltage

peak reverse

voltage

1B005.

1B01.

1B02.

1B04.

1B06.

1B08.

1B10

100

200

400

600

800

1000

150

300

500

700

900

1100

Part Numbering

To specify surface mount option (S.M.D.) add 'S' suffix. e.g. 1B04S etc.

To specify tape reel option add ' TRR16' or ' TR16' suffix. e.g. 1B06STRR16, IB02STR16 etc.

2.0

100

1B...

Per junction

1B...

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

= 180˚

Tj = 150˚C

Tj = 25˚C

0.2

0.1

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Instantaneous Forward Voltage (V)

Average Output Current (A)

Fig. 1 - Forward Characteristics

Fig. 2 - Power Loss Characteristics

1.1

1B...

50Hz

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

Resistive Load

Capacitive Load

0.1

- 1

- 2

20 40 60 80 100 120 140 160

Pulse Train Duration (s)

Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)

Fig. 3 - Current Ratings

Fig. 4 - Non-Repetititive Surge Ratings

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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