Datasheet > 1SS81

1SS81

更新时间： 2024-01-28 19:44:31

品牌	Logo	应用领域
KISEMICONDUCTOR		小信号开关二极管
页数	文件大小	规格书
2页	171K
描述
SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1SS81 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.49
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向电流：	100 µA	最大反向恢复时间：	0.1 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1SS81 数据手册

1SS81

FIG.2 -- REVERSE CHARACTERISTICS

FIG.1 --FORWARD CHARACTERISTICS

100

–5

TA = 75°C

TA = 50°C

–6

0.1

0.3 0.4 0.5 0.6

0.7 0.8 0.9 1.0 1.1

1.2

–7

FORWARDVOLTAGE, V

FIG.3 -- CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS

TA = 25°C

–8

CCCCCC CHARACTERISTICS

2.5

–9

150

250

100

200

300

1.5

FORWARD VOLTAGE, V

REVERSE VOLTAGE, V

FIG.5 -- REVERSE RECOVERY TIME (trr)

MEASUREMENT CIRCUIT

FIG.4 -- SURGE CURRENT CHARACTERISTICS

1.0

T^J=125

8.3ms Single Half

Sine-Wave

0.75

D.U.T

0.01mF

0.5

PULSE GENERATOR

OUTPUT 50

SAMPLING

OSCILLOSCOPE

0.25

40 60 80 100

NUMBER OF CYCLES 60Hz

下载PDF

与1SS81相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS81-E	RENESAS	0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2	获取价格
1SS81RE	RENESAS	0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	获取价格
1SS81RE-E	RENESAS	0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	获取价格
1SS81RF	HITACHI	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35	获取价格
1SS81RF	RENESAS	0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	获取价格
1SS81RG	RENESAS	0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	获取价格