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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.63 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向恢复时间： | 0.1 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1SS81TD | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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| 1SS81TD | RENESAS |
获取价格 |
0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| 1SS81TD-E | RENESAS |
获取价格 |
0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| 1SS81TDX | RENESAS |
获取价格 |
0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| 1SS81TE | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
|
| 1SS81TE | RENESAS |
获取价格 |
0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| 1SS81TX | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
|
| 1SS81TX | RENESAS |
获取价格 |
0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| 1SS82 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
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| 1SS82 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
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