是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.62 | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-7 | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.5 W | 标称参考电压: | 6.2 V |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max: | 0.062 mV/ °C |
最大电压容差: | 4.84% | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1N827-1(DO35) | ETC | 0TC Reference Voltage Zener |
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1N827-1-1 | MICROSEMI | 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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1N827-1-1% | MICROSEMI | Zener Diode |
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1N827116 | NXP | DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode |
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1N827-1-2 | MICROSEMI | 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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1N827-1-3%E3 | MICROSEMI | Zener Diode |
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