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1N5356B

更新时间： 2024-02-10 08:09:52

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1N5356B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.64	其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	19 V
最大反向电流：	0.5 µA	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	65 mA	Base Number Matches：	1

RATING AND CHARACTERISTICS CURVES

1N5338B THRU 1N5388B

ZENER VOLTAGE VERSUS ZENER CURRENT

(FIGURES 7,8)

VZ = 6.8V

T_C= 25

T = 25

1000

PLOTTED FROM INFORMATION

100

GIVEN IN FIGURE 5

0.5

0.2

0.1

100

1000

VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)

Fig. 6-PEAK SURGE CURRENT VERSUS PULSE

WIDTH(SEE NOTE 3)

Fig. 7-ZENER VOLTAGE VERSUS ZENER CURRENT

VZ = 6.8 THRU 10 VOLTS

1000

T = 25

100

0.1

VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)

Fig. 8-ZENER VOLTAGE VERSUS ZENER CURRENT

VZ = 11 THRU 51 VOLTS

*** Data of Figure 3 should not be used to compute surge capability. Surge limitations are given in Figure 5. They are

lower than would be expected by considering only junction temperature, as current crowding effects cause

temperatures to be extremely high in small spots resulting in device degradation should the limits of Figure. 5 be

exceeded

KI SEMICONDUCTOR

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5356B(19V)	ETC	Zener Diodes	获取价格
1N5356B/TR8	MICROSEMI	Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, PLASTIC, T-18, 2 PIN	获取价格
1N5356B-AP	MCC	暂无描述	获取价格
1N5356B-B	DIODES	Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional	获取价格
1N5356B-BP-HF	MCC	暂无描述	获取价格
1N5356BE	MCC	5 Watt Zener Diode 11 to 200 Volts	获取价格