1N4151

更新时间： 2024-02-05 21:08:50

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威世 - VISHAY		二极管
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4页	43K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode

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1N4151 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.61
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向恢复时间：	0.002 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N4151 数据手册

1N4151

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Diode

Applications

Extreme fast switches

94 9367

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Test Conditions

Type

Symbol

RRM

Value

Unit

Peak forward surge current

Repetitive peak forward current

Forward current

Average forward current

Power dissipation

t =1 s

500

300

150

440

500

175

FSM

FRM

V =0

FAV

l=4mm, T =45 C

l=4mm, T 25 C

Junction temperature

Storage temperature range

stg

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

l=4mm, T =constant

Symbol

thJA

Value

350

Unit

K/W

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

Document Number 85523

Rev. 2, 01-Apr-99

1 (4)

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