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1812SMS--82NJ

更新时间: 2022-06-05 22:21:58
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飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
页数 文件大小 规格书
19页 1190K
描述
RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

1812SMS--82NJ 数据手册

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TYPICAL CHARACTERISTICS  
28  
26  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
60  
T
= --30_C  
85_C  
C
55  
25_C  
50 V  
50  
45  
45 V  
40 V  
35 V  
30 V  
V
= 50 Vdc  
DD  
25 V  
40  
35  
I
= 900 mA  
DQ  
I
= 900 mA  
f = 220 MHz  
DQ  
f = 220 MHz  
V
= 20 V  
DD  
0
50  
100  
150  
200  
250  
300 350  
400  
10  
15  
20  
25  
30  
35  
P , INPUT POWER (dBm)  
in  
P
, OUTPUT POWER (WATTS) CW  
out  
Figure 10. Power Gain versus Output Power  
Figure 11. Power Output versus Power Input  
29  
28  
27  
80  
25_C  
70  
85_C  
-- 3 0 _C  
G
ps  
60  
T
= --30_C  
85_C  
C
50  
40  
30  
20  
10  
26  
25  
25_C  
24  
23  
22  
η
D
V
= 50 Vdc  
= 900 mA  
f = 220 MHz  
100  
, OUTPUT POWER (WATTS) CW  
DD  
I
DQ  
5
10  
600  
P
out  
Figure 12. Power Gain and Drain Efficiency  
versus CW Output Power  
25  
24  
23  
22  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
G
ps  
η
D
21  
20  
19  
18  
17  
-- 2 8  
-- 2 9  
IMD3  
-- 3 0  
-- 3 1  
-- 3 2  
V
= 50 V, P = 300 W (Peak)  
out  
= 1100 mA, Tone--Spacing = 100 kHz  
DD  
16  
15  
20  
15  
240  
I
DQ  
-- 3 3  
160  
170  
180  
190  
200  
210  
220  
230  
f, FREQUENCY (MHz)  
Figure 13. VHF Broadcast Broadband Performance  
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
6

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1812SMS--82NJL FREESCALE RF Power Field--Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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1812SMS-82NJSB COILCRAFT General Purpose Inductor, 0.082uH, 5%, 1 Element, Air-Core, SMD, 1925,

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