是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIP, DIP22,.3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T22 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 1 | 湿度敏感等级: | 2A |
端子数量: | 22 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 64KX1 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP22,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 250 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1600ADMQB70 | ETC | x1 SRAM |
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1600ALMQB30 | TI | IC,SRAM,64KX1,CMOS,LLCC,22PIN,CERAMIC |
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1600ALMQB35 | ETC | x1 SRAM |
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1600ALMQB45 | FAIRCHILD | Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, CQCC22, |
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1600ALMQB45 | TI | IC,SRAM,64KX1,CMOS,LLCC,22PIN,CERAMIC |
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1600ALMQB55 | FAIRCHILD | Standard SRAM, 64KX1, 55ns, CMOS, CQCC22, |
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