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13N50L-TF1-T

更新时间： 2024-02-17 19:27:22

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描述
500V N-CHANNEL MOSFET

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13N50L-TF1-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	860 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.48 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	48 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

13N50L-TF1-T 数据手册

13N50

Preliminary

Power MOSFET

TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS

D.U.T.

V_DS

I_SD

Driver

R_G

Same Type

as D.U.T.

V_DD

V_GS

* dv/dt controlled by R_G

* I_SDcontrolled by pulse period

Fig. 1A Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit

Gate Pulse Width

Gate Pulse Period

V_GS

(Driver)

10V

I_FM, Body Diode Forward Current

I_SD

(D.U.T.)

di/dt

I_RM

Body Diode Reverse Current

V_DS

(D.U.T.)

Body Diode Recovery dv/dt

V_SD

V_DD

Body Diode

Forward Voltage Drop

Fig. 1B Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

www.unisonic.com.tw

4 of 6

QW-R502-362.c

1 2 345 6

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与13N50L-TF1-T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
13N50L-TF3-T	UTC	500V N-CHANNEL MOSFET	获取价格
13N65-CQ	UTC	N-CH	获取价格
13N65-Q	UTC		获取价格
13NA055P300	ETC	SCHALTNETZT. 55W	获取价格
13NA055P301	ETC	SCHALTNETZT. 55W	获取价格
13NA055P401	ETC	SCHALTNETZT. 55W	获取价格