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13N50L-TF1-T

更新时间： 2024-02-25 05:33:07

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描述
500V N-CHANNEL MOSFET

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13N50L-TF1-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	860 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.48 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	48 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

13N50L-TF1-T 数据手册

13N50

Preliminary

Power MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

V_DSS

V_GSS

I_D

RATINGS

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±30

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current (Note 2)

Avalanche Current (Note 2)

Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3)

Repetitive Avalanche Energy (Note 2)

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4)

I_DM

I_AR

E_AS

810

V/ns

E_AR

dv/dt

4.5

TO-220

TO-220F

168

Power Dissipation (T_C=25°C)

P_D

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

+150

-55~+150

°C

T_STG

Notes: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

2. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature

3. L = 9.3mA, I_AS= 13A, V_DD= 50V, R_G= 25Ω ,Starting T_J= 25°C

4. I_SD≤13.A, di/dt ≤200A/μs, V_DD≤ BV_DSS, Starting T_J= 25°C

THERMAL DATA

PARAMETER

SYMBOL

RATINGS

62.5

UNIT

°C/W

TO-220

TO-220F

TO-220

TO-220F

Junction to Ambient

Junction to Case

θ_JA

62.5

0.74

θ_JC

2.58

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

Drain-Source Leakage Current

BV_DSS

I_DSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= 500V, V_GS= 0V

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_GS= -30V, V_DS= 0V

I_D= 250μA

500

μA

100

Gate-Source Leakage Current

I_GSS

-100 nA

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

△BV_DSS/△T_J

0.5

V/°C

Referenced to 25°C

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

Static Drain-Source On-State Resistance

Forward Transconductance

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

V_GS(TH)

R_DS(ON)

g_FS

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 10V, I_D= 6.5A

2.0

4.0

Ω

0.33 0.43

V_DS=50V, I_D=6.25A (Note 1)

C_ISS

C_OSS

C_RSS

1800 2300 pF

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1.0MHz

Output Capacitance

245 320

Reverse Transfer Capacitance

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

t_D(ON)

t_R

t_D(OFF)

t_F

Turn-On Rise Time

V_DD=250V, I_D=13A

R_G=25Ω (Note 1,2)

140 290

100 210

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

180

Total Gate Charge

Q_G

V_DS=400V, I_D=13A, V_GS=10 V

Gate-Source Charge

Q_GS

Q_GD

(Note 1, 2)

Gate-Drain Charge

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

www.unisonic.com.tw

2 of 6

QW-R502-362.c

123 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
13N50L-TF3-T	UTC	500V N-CHANNEL MOSFET	获取价格
13N65-CQ	UTC	N-CH	获取价格
13N65-Q	UTC		获取价格
13NA055P300	ETC	SCHALTNETZT. 55W	获取价格
13NA055P301	ETC	SCHALTNETZT. 55W	获取价格
13NA055P401	ETC	SCHALTNETZT. 55W	获取价格

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