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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 12N70G-TA3-T
12N70G-TA3-T PDF预览

12N70G-TA3-T

更新时间： 2024-01-16 20:32:11
品牌 Logo 应用领域
友顺 - UTC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页 221K
描述
12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET

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12N70G-TA3-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.62
雪崩能效等级（Eas）：790 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：700 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：225 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

12N70G-TA3-T 数据手册

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12N70  
Power MOSFET  
„
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDSS  
VGSS  
IAR  
RATINGS  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
700  
±30  
V
Avalanche Current (Note 2)  
12  
A
Continuous  
ID  
12  
A
Drain Current  
Pulsed (Note 2)  
Single Pulsed (Note 3)  
Repetitive (Note 2)  
IDM  
48  
A
EAS  
790  
mJ  
mJ  
V/ns  
°C/W  
°C/W  
°C  
Avalanche Energy  
EAR  
24  
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4)  
Power Dissipation  
dv/dt  
4.5  
TO-220  
225  
PD  
TO-220F/TO-220F1  
51  
Junction Temperature  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
+150  
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
TOPR  
TSTG  
°C  
°C  
Notes: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.  
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.  
2. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature  
3. L = 10mH, IAS = 12A, VDD = 50V, RG = 25Ω, Starting TJ = 25°C  
4. ISD ≤ 12A, di/dt ≤200A/s, VDD ≤BVDSS Starting TJ = 25°C  
„
THERMAL DATA  
PARAMETER  
SYMBOL  
RATING  
62.5  
UNIT  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Junction to Ambient  
Junction to Case  
θJA  
TO-220  
0.56  
θJC  
TO-220F/TO-220F1  
2.43  
„
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC =25°C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN TYP MAX UNIT  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Drain-Source Leakage Current  
Gate-Source Leakage Current  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
BVDSS  
IDSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = 700 V, VGS = 0 V  
VGS = ±30 V, VDS = 0 V  
700  
V
10  
μA  
IGSS  
±100 nA  
△BVDSS/△T  
J ID = 250 μA, Referenced to 25°C  
0.7 V/°C  
ON CHARACTERISTICS  
Gate Threshold Voltage  
Static Drain-Source On-State Resistance  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
VGS(TH)  
RDS(ON)  
VDS = VGS, ID = 250μA  
2.0  
4.0  
0.87 1.0  
V
VGS = 10V, ID = 6.0A  
Ω
CISS  
COSS  
CRSS  
1480 1900 pF  
200 270 pF  
VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn-On Delay Time  
25  
35  
pF  
tD(ON)  
tR  
tD(OFF)  
tF  
30  
70  
ns  
Turn-On Rise Time  
VDD = 300V, ID = 12A, RG = 25Ω  
(Note 1, 2)  
115 240 ns  
95 200 ns  
85 180 ns  
Turn-Off Delay Time  
Turn-Off Fall Time  
Total Gate Charge  
QG  
42  
8.6  
21  
54  
nC  
nC  
nC  
V
DS= 480V,ID= 12A, VGS= 10 V  
Gate-Source Charge  
QGS  
QGD  
(Note 1, 2)  
Gate-Drain Charge  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
2 of 6  
www.unisonic.com.tw  
QW-R502-220.C  
123456

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