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12N70G-TA3-T

更新时间： 2024-01-28 02:42:58

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	221K
描述
12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET

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12N70G-TA3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.62
雪崩能效等级（Eas）：	790 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	700 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.7 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	225 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

12N70G-TA3-T 数据手册

12N70

Power MOSFET

TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS

D.U.T.

V_DS

R_G

Driver

V_DD

* dv/dt controlled by R_G

* I_SDcontrolled by pulse period

* D.U.T.-Device Under Test

Same Type

as D.U.T.

V_GS

Fig. 1A Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit

P. W.

V_GS

(Driver)

Period

P.W.

Period

10V

V_GS

I_FM, Body Diode Forward Current

I_SD

(D.U.T.)

di/dt

I_RM

Body Diode Reverse Current

Body Diode Recovery dv/dt

V_DS

V_DD

(D.U.T.)

Body Diode

Forward Voltage Drop

Fig. 1B Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

4 of 6

QW-R502-220.C

www.unisonic.com.tw

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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12N70G-TF1-T	UTC	12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET	获取价格
12N70G-TF2-T	UTC	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	获取价格
12N70G-TF3-T	UTC	12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET	获取价格