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123NQ080RPBF

更新时间： 2024-02-26 23:54:01
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
5页 100K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 120A, 80V V(RRM), Silicon, D-67, HALF PACK-1

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123NQ080RPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：R-PUFM-X1
针数：1Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.52其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ANODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PUFM-X1
最大非重复峰值正向电流：16000 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最大输出电流：120 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：80 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

123NQ080RPBF 数据手册

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123NQ...(R) Series  
Bulletin PD-2.250 rev. C 05/02  
Voltage Ratings  
Part number  
123NQ080  
123NQ090  
123NQ100  
VR  
Max. DC Reverse Voltage (V)  
80  
90  
100  
VRWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)  
Absolute Maximum Ratings  
Parameters  
IF(AV) Max.AverageForwardCurrent  
*SeeFig.5  
123NQ Units  
Conditions  
50%dutycycle@TC=121°C,rectangularwaveform  
120  
A
Following any rated  
load condition and  
IFSM Max.PeakOneCycleNon-Repetitive 16,000  
5µs Sineor3µsRect.pulse  
10msSineor6msRect. pulse  
A
SurgeCurrent *SeeFig.7  
2100  
with rated VRRMapplied  
EAS Non-RepetitiveAvalancheEnergy  
15  
1
mJ  
A
TJ=25°C, IAS=1Amps,L=30mH  
Currentdecayinglinearlytozeroin1µsec  
IAR  
RepetitiveAvalancheCurrent  
FrequencylimitedbyTJ max.VA =1.5xVR typical  
Electrical Specifications  
Parameters  
123NQ Units  
Conditions  
VFM Max. Forward Voltage Drop  
(1)  
0.91  
1.08  
0.74  
0.88  
3
40  
2650  
7.0  
V
V
V
V
mA  
mA  
pF  
nH  
V/ µs  
@ 120A  
@ 240A  
@ 120A  
@ 240A  
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
TJ = 25 °C  
* See Fig. 1  
TJ = 125 °C  
IRM Max. Reverse Leakage Current (1)  
* See Fig. 2  
VR = rated VR  
CT  
LS  
Max. Junction Capacitance  
Typical Series Inductance  
VR = 5VDC, (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25 °C  
From top of terminal hole to mounting plane  
dv/dt Max. Voltage Rate of Change  
(Rated VR)  
10000  
(1) Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2%  
Thermal-Mechanical Specifications  
Parameters  
123NQ Units  
Conditions  
TJ  
Max.JunctionTemperatureRange  
-55to175 °C  
-55to175 °C  
Tstg Max.StorageTemperatureRange  
RthJC Max.ThermalResistanceJunction  
toCase  
0.40  
°C/W DCoperation *SeeFig.4  
RthCS TypicalThermalResistance,Caseto  
Heatsink  
0.15  
°C/W Mountingsurface,smoothandgreased  
wt  
T
ApproximateWeight  
MountingTorque  
25.6(0.9) g(oz.)  
40(35)  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Non-lubricatedthreads  
58(50)  
58(50)  
86(75)  
Kg-cm  
(Ibf-in)  
TerminalTorque  
CaseStyle  
HALF PAK Module  
www.irf.com  
2
12345

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123NQ090 VISHAY Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 120A, 90V V(RRM), Silicon, D-67, HALF PACK-

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