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11LC160-EP

更新时间： 2024-02-07 02:55:45
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
44页 801K
描述
1K-16K UNI/O® Serial EEPROM Family Data Sheet

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11LC160-EP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：TSSOP, TO-236针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.2最大时钟频率 (fCLK)：1 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
长度：2.9 mm内存密度：16384 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：3字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TO-236
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.12 mm串行总线类型：1-WIRE
最大待机电流：0.000005 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.005 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：1.3 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
写保护：SOFTWAREBase Number Matches：1

11LC160-EP 数据手册

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11AAXXX/11LCXXX  
4.0  
DEVICE COMMANDS  
After the device address byte, a command byte must  
be sent by the master to indicate the type of operation  
to be performed. The code for each instruction is listed  
in Table 4-1.  
TABLE 4-1:  
INSTRUCTION SET  
Instruction Name Instruction Code Hex Code  
Description  
READ  
CRRD  
WRITE  
WREN  
WRDI  
RDSR  
WRSR  
ERAL  
SETAL  
0000 0011  
0000 0110  
0110 1100  
1001 0110  
1001 0001  
0000 0101  
0110 1110  
0110 1101  
0110 0111  
0x03  
0x06  
0x6C  
0x96  
0x91  
0x05  
0x6E  
0x6D  
0x67  
Read data from memory array beginning at specified address  
Read data from current location in memory array  
Write data to memory array beginning at specified address  
Set the write enable latch (enable write operations)  
Reset the write enable latch (disable write operations)  
Read STATUS register  
Write STATUS register  
Write ‘0x00’ to entire array  
Write ‘0xFF’ to entire array  
that the slave should output the next data byte. This  
continues until the master sends a NoMAK, which ends  
the operation.  
4.1  
Read Instruction  
The Read command allows the master to access any  
memory location in a random manner. After the READ  
instruction has been sent to the slave, the two bytes of  
the Word Address are transmitted, with an Acknowl-  
edge sequence being performed after each byte. Then,  
the slave sends the first data byte to the master. If more  
data is to be read, the master sends a MAK, indicating  
To provide sequential reads in this manner, the 11XX  
contains an internal Address Pointer which is incre-  
mented by one after the transmission of each byte. This  
Address Pointer allows the entire memory contents to  
be serially read during one operation. When the highest  
address is reached, the Address Pointer rolls over to  
address ‘0x000’ if the master chooses to continue the  
operation by providing a MAK.  
FIGURE 4-1:  
READ COMMAND SEQUENCE  
Device Address  
Standby Pulse  
Start Header  
SCIO  
0 1 0 1 0 1 0 1  
1 0 1 0 0 0 0 0(1)  
Word Address LSB  
Command  
Word Address MSB  
7 6 5 4 3 2 1 0  
15 14 13 12 11 10 9 8  
SCIO  
0 0 0 0 0 0 1 1  
Data Byte n  
Data Byte 2  
Data Byte 1  
7 6 5 4 3 2 1 0  
SCIO  
7 6 5 4 3 2 1 0  
7 6 5 4 3 2 1 0  
Note 1: For the 11XXXX1, this bit must be a ‘1’.  
DS22067H-page 10  
Preliminary  
2010 Microchip Technology Inc.  
1...78910111213...44

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