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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 113MT120KBPBF
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113MT120KBPBF

更新时间： 2024-02-08 17:19:01
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极
页数 文件大小 规格书
9页 188K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 6 Element

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113MT120KBPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
针数：12Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：5.15其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：3 PHASE BRIDGE
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：4 V
快速连接描述：6G螺丝端子的描述：3AK-2CA-CK
最大维持电流：200 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X12
最大漏电流：20 mA通态非重复峰值电流：1180 A
元件数量：6端子数量：12
最大通态电流：110000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
断态重复峰值电压：1200 V重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

113MT120KBPBF 数据手册

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5.MT...KPbF, 9.MT...KPbF, 11.MT...KPbF Series  
Three Phase Controlled Bridge  
(Power Modules), 55 A to 110 A  
Vishay High Power Products  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
VOLTAGE RATINGS  
V
RRM, MAXIMUM  
VRSM, MAXIMUM  
VDRM, MAXIMUM REPETITIVE  
IRRM/IDRM,  
VOLTAGE  
CODE  
REPETITIVE PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
NON-REPETITIVE PEAK PEAK OFF-STATE VOLTAGE,  
MAXIMUM  
AT TJ = 125 °C  
mA  
TYPE NUMBER  
REVERSE VOLTAGE  
V
GATE OPEN CIRCUIT  
V
80  
800  
1000  
1200  
1400  
1600  
800  
900  
800  
100  
120  
140  
160  
80  
1100  
1300  
1500  
1700  
900  
1000  
1200  
1400  
1600  
800  
5.MT...K  
10  
20  
100  
120  
140  
160  
1000  
1200  
1400  
1600  
1100  
1300  
1500  
1700  
1000  
1200  
1400  
1600  
9.MT...K  
11.MT...K  
FORWARD CONDUCTION  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
120° rect. conduction angle  
5.MT...K 9.MT...K 11.MT...K UNITS  
55  
85  
90  
85  
110  
85  
A
Maximum DC output  
current at case temperature  
IO  
°C  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
390  
410  
330  
345  
770  
700  
540  
500  
7700  
950  
1130  
1180  
950  
No voltage  
reapplied  
Maximum peak, one-cycle  
forward, non-repetitive  
on state surge current  
1000  
800  
ITSM  
A
100 % VRRM  
reapplied  
840  
1000  
6380  
5830  
4510  
4120  
63 800  
Initial TJ = TJ maximum  
4525  
4130  
3200  
2920  
45 250  
No voltage  
reapplied  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
100 % VRRM  
reapplied  
Maximum I2√t for fusing  
I2√t  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
A2√s  
Low level value of  
threshold voltage  
VT(TO)1  
(16.7 % x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), TJ maximum  
1.17  
1.45  
1.09  
1.27  
4.10  
3.59  
1.65  
1.04  
1.27  
3.93  
3.37  
1.57  
V
High level value of  
threshold voltage  
VT(TO)2  
rt1  
(I > π x IT(AV)), TJ maximum  
Low level value on-state  
slope resistance  
(16.7 % x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), TJ maximum  
(I > π x IT(AV)), TJ maximum  
12.40  
11.04  
2.68  
mΩ  
High level value on-state  
slope resistance  
rt2  
Maximum on-state  
voltage drop  
VTM  
Ipk = 150 A, TJ = 25 °C, tp = 400 μs single junction  
V
Maximum non-repetitve  
rate of rise of turned on  
current  
TJ = 25 °C, from 0.67 VDRM, ITM = π x IT(AV)  
Ig = 500 mA, tr < 0.5 μs, tp > 6 μs  
,
dI/dt  
150  
A/μs  
TJ = 25 °C, anode supply = 6 V,  
resistive load, gate open circuit  
Maximum holding current  
Maximum latching current  
IH  
IL  
200  
400  
mA  
TJ = 25 °C, anode supply = 6 V, resistive load  
www.vishay.com  
2
For technical questions, contact: indmodules@vishay.com  
Document Number: 94353  
Revision: 13-Aug-08  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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