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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 111RIA120
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111RIA120

更新时间： 2024-01-02 15:17:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅极
页数 文件大小 规格书
8页 120K
描述
PHASE CONTROL THYRISTORS

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111RIA120 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-94
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.68Is Samacsys：N
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：120 mA
JEDEC-95代码：TO-209ACJESD-30 代码：O-MUPM-H3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：140 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：172 A断态重复峰值电压：1200 V
重复峰值反向电压：1200 V表面贴装：NO
端子形式：HIGH CURRENT CABLE端子位置：UPPER
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

111RIA120 数据手册

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110/111RIA Series  
Bulletin I25204 rev& B 09/03  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
Voltage Ratings  
Voltage  
VDRM/VRRM, max& repetitive  
VRSM , maximum non-  
IDRM/IRRM max&  
Type number Code  
peak and off-state voltage  
V
repetitive peak voltage  
V
@ TJ = TJ maxꢀ  
mA  
110/111RIA  
80  
800  
900  
20  
120  
1200  
1300  
On-state Conduction  
Parameter  
110/111RIA  
Units Conditions  
IT(AV) Maxꢀ average on-state current  
@ Case temperature  
110  
90  
A
180° conduction, half sine wave  
°C  
IT(RMS) Maxꢀ RMS on-state current  
172  
2080  
2180  
1750  
1830  
21ꢀ7  
19ꢀ8  
15ꢀ3  
14ꢀ0  
217  
DC @ 83°C case temperature  
t = 10ms No voltage  
ITSM  
Maxꢀ peak, one-cycle  
non-repetitive surge current  
A
t = 8ꢀ3ms reapplied  
t = 10ms 100% VRRM  
t = 8ꢀ3ms reappliedSinusoid  
al half wave,  
I2t  
Maximum I2t for fusing  
t = 10ms No voltage  
t = 8ꢀ3ms reapplied  
t = 10ms 100% VRRM  
t = 8ꢀ3ms reapplied  
Initial TJ = TJ maxꢀ  
KA2s  
I2√t  
Maximum I2√t for fusing  
KA2√s t = 0ꢀ1 to 10ms, no voltage reapplied  
VT(TO)1 Low level value of threshold  
voltage  
0ꢀ82  
1ꢀ02  
(16ꢀ7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maxꢀ  
(I > π x IT(AV)),TJ = TJ maxꢀ  
V
VT(TO) High level value of threshold  
2
voltage  
rt1  
Low level value of on-state  
slope resistance  
2ꢀ16  
1ꢀ70  
(16ꢀ7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maxꢀ  
(I > π x IT(AV)),TJ = TJ maxꢀ  
mΩ  
rt2  
High level value of on-state  
slope resistance  
VTM  
IH  
Maxꢀ on-state voltage  
Maximum holding current  
Typical latching current  
1ꢀ57  
150  
400  
V
I = 350A, TJ = TJ maxꢀ, t = 10ms sine pulse  
pk p  
mA  
TJ = 25°C, anode supply 6V resistive load  
IL  
Switching  
Parameter  
110/111RIA  
Units Conditions  
di/dt Maxꢀ non-repetitive rate of rise  
of turned-on current  
Gate drive 20V, 20Ω, t ≤ 1µs  
r
300  
A/µs  
TJ = TJ max, anode voltage ≤ 80% VDRM  
Gate current 1A, di /dt = 1A/µs  
g
t
Typical delay time  
Typical turn-off time  
1
d
q
V
= 0ꢀ67% VDRM, TJ = 25°C  
d
µs  
ITM = 50A, TJ = TJ maxꢀ, di/dt = -5A/µs, VR = 50V  
t
110  
dv/dt = 20V/µs, Gate 0V 25Ω  
wwwꢀirfꢀcom  
2
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111RIA120M INFINEON 暂无描述

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