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111MT100KBPBF

更新时间： 2024-02-05 13:35:31

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英飞凌 - INFINEON		栅极局域网
页数	文件大小	规格书
9页	115K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 3 Element, INT-A-PAK-9

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111MT100KBPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	配置：	3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED CONVERTER, COMMON ANODE
最大直流栅极触发电流：	270 mA	最大直流栅极触发电压：	4 V
快速连接描述：	3G	螺丝端子的描述：	3AK-2CA-CK
最大维持电流：	200 mA	最大漏电流：	20 mA
通态非重复峰值电流：	1180 A	元件数量：	3
最大通态电压：	1.57 V	最大通态电流：	110000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
重复峰值反向电压：	1000 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

111MT100KBPBF 数据手册

53-93-113MT..KB Series

Bulletin I27503 08/97

Steady State Value

= 1.07 K/W

= 0.86 K/W

= 0.70 K/W

53MT..KB Series

93MT..KB Series

thJC

(DCOperation)

113MT..KB Series

0.1

0.01

0.001

Per Junction

0.001

0.01

0.1

Square Wave Pulse Duration (s)

Fig. 16 - Thermal Impedance Z_thJCCharacteristics

100

Rectangular gate pulse

a) Recommended load line for

rated di/dt: 20 V, 30 ohms

tr = 0.5 µs, tp >= 6 µs

b) Recommended loadline for

<= 30% rated di/dt: 20 V, 65 ohms

tr = 1 µs, tp >=6 µs

(1) PGM= 100 W, tp = 500 µs

(2) PGM= 50 W, tp = 1 ms

(3) PGM= 20 W, tp = 25 ms

(4) PGM= 10 W, tp = 5 ms

(a)

(b)

(4)

(2) (1)

(3)

VGD

IGD

53/ 93/ 113MT..KBSeries Frequency Limited by PG(AV)

0.1 10 100 1000

0.1

0.001

0.01

Instantaneous Gate Current (A)

Fig. 17 - Gate Characteristics

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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111MT100KBS90PBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
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111MT120KB	INFINEON	THREE PHASE CONTROLLED BRIDGE	获取价格