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111MT120K

更新时间： 2024-01-23 10:53:00

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其他 - ETC		栅极局域网
页数	文件大小	规格书
8页	318K
描述
THYRISTOR MODULE\|3-PH FULL-WAVE\|HALF-CNTLD\|CA\|1.2KV V(RRM)\|110A I(T)

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111MT120K 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
针数：	9	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	Factory Lead Time：	18 weeks
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE	最大直流栅极触发电流：	150 mA
最大直流栅极触发电压：	4 V	快速连接描述：	3G
螺丝端子的描述：	3AK-2CA-CK	最大维持电流：	200 mA
JESD-30 代码：	R-XUFM-X9	最大漏电流：	20 mA
通态非重复峰值电流：	1180 A	元件数量：	3
端子数量：	9	最大通态电流：	110000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
111MT120KB	INFINEON	THREE PHASE CONTROLLED BRIDGE	获取价格
111MT120KBPBF	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 3 Element, INT-A-PAK-9	获取价格
111MT120KBS90	INFINEON	THREE PHASE CONTROLLED BRIDGE	获取价格
111MT120KBS90PBF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 3 Element, INT-A-PAK-9	获取价格
111MT120KPBF	VISHAY	Three Phase Controlled Bridge (Power Modules), 55 A to 110 A	获取价格
111MT120KS90PBF	VISHAY	Three Phase Controlled Bridge (Power Modules), 55 A to 110 A	获取价格