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1110IB

更新时间: 2024-01-29 04:48:29
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英特矽尔 - INTERSIL /
页数 文件大小 规格书
9页 185K
描述
750MHz, Low Distortion Unity Gain, Closed Loop Buffer

1110IB 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-XDIP-W4
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.56配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.7 VJESD-30 代码:R-XDIP-W4
最大非重复峰值正向电流:25 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1.4 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向恢复时间:0.07 µs
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

1110IB 数据手册

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HFA1110  
Typical Performance Curves  
V
= ±5V, T = 25°C, R = 100Ω, Unless Otherwise Specified (Continued)  
SUPPLY  
A
L
V
= 1V  
OUT  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
0.8  
0.4  
0.2  
0
-0.2  
-0.4  
-0.8  
0
0
40  
80  
120 160 200 240 280 320 360  
(pF)  
-5  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
C
L
TIME (ns)  
FIGURE 13. SETTLING RESPONSE  
FIGURE 14. RECOMMENDED SERIES OUTPUT RESISTOR vs  
C
LOAD  
21  
18  
15  
12  
9
0.04  
0.02  
0
R
= 200Ω  
L
R
= 100Ω  
= 1kΩ  
L
R
L
V
= 2.0V  
P-P  
O
V
= 1.0V  
P-P  
O
6
-0.02  
-0.04  
V
= 0.5V  
800  
O
P-P  
3
0
200  
300  
400  
500  
600  
700  
900  
1000  
-3.0  
-2.0  
-1.0  
0
1.0  
2.0  
3.0  
INPUT RISE TIME (ps)  
INPUT VOLTAGE (V)  
FIGURE 15. OVERSHOOT vs INPUT RISETIME  
FIGURE 16. INTEGRAL LINEARITY ERROR  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
8
7
6
5
17  
-60  
-40  
-20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
5
6
7
8
9
10  
TOTAL SUPPLY VOLTAGE (V+ - V-, V)  
TEMPERATURE (°C)  
FIGURE 17. SUPPLY CURRENT vs SUPPLY VOLTAGE  
FIGURE 18. SUPPLY CURRENT vs TEMPERATURE  
FN2944.8  
June 6, 2006  
6

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1110IBZ INTERSIL 750MHz, Low Distortion Unity Gain, Closed Loop Buffer

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