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110RIA80S90PBF

更新时间： 2024-02-24 23:10:04

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	106K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, METAL GLASS, TO-94, 3 PIN

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110RIA80S90PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-94
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	120 mA
JEDEC-95代码：	TO-209AC	JESD-30 代码：	O-MUPM-H3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	172 A
断态重复峰值电压：	800 V	重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

110RIA80S90PBF 数据手册

111RIA Series

Bulletin I25204 01/01

Blocking

Parameter

dv/dt Maximum critical rate of rise of

off-state voltage

111RIA

500

Units Conditions

V/µs T_J= T_Jmax. linear to 80% rated V_DRM

I_RRM

I_DRM

Max. peak reverse and off-state

leakage current

T_J= T_Jmax, rated V_DRM/V_RRMapplied

Triggering

Parameter

Maximum peak gate power

P_G(AV)Maximum average gate power

I_GMMax. peak positive gate current

111RIA

Units Conditions

P_GM

T_J= T_Jmax, t ≤ 5ms

3.0

T_J= T_Jmax, f = 50Hz, d% = 50

3.0

T_J= T_Jmax, t ≤ 5ms

+V_GMMaximum peak positive

gate voltage

T_J= T_Jmax, t ≤ 5ms

-V_GM

Maximum peak negative

gate voltage

TYP.

MAX.

I_GT

DC gate current required

to trigger

180

120

T_J= - 40°C

T_J= 25°C

Max. required gate trigger/ cur-

T_J= 140°C

T_J= - 40°C

T_J= 25°C

T_J= 140°C

rent/ voltage are the lowest value

which will trigger all units 12V

anode-to-cathode applied

V_GT

DC gate voltage required

to trigger

2.5

1.6

Max. gate current/ voltage not to

trigger is the max. value which

will not trigger any unit with rated

V_DRManode-to-cathode applied

I_GD

DC gate current not to trigger

DC gate voltage not to trigger

6.0

T_J= T_Jmax

V_GD

0.25

Thermal and Mechanical Specification

Parameter

Max. operatingtemperaturerange

Max. storage temperature range

111RIA

-40 to 140

-40 to 150

Units Conditions

°C

T_J

stg

R_thJCMax. thermal resistance,

0.27

DC operation

K/W

junction to case

R_thCSMax. thermal resistance,

0.1

Mounting surface, smooth, flat and greased

Non lubricated threads

case to heatsink

Mountingtorque, ±10%

15.5

(137)

(lbf-in)

Lubricated threads

SeeOutlineTable

(120)

130

Approximate weight

Case style

TO-209AC(TO-94)

www.irf.com

1 234 5 6 7 8

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与110RIA80S90PBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
110RKI	NAINA	Phase Control Thyristors, 100A	获取价格
110RKI	INFINEON	PHASE CONTROL THYRISTORS	获取价格
110RKI100S90	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208A	获取价格
110RKI100S90PBF	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208A	获取价格
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