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110RIA80S90PBF

更新时间： 2024-02-18 10:13:00

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	106K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, METAL GLASS, TO-94, 3 PIN

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110RIA80S90PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-94
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	120 mA
JEDEC-95代码：	TO-209AC	JESD-30 代码：	O-MUPM-H3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	172 A
断态重复峰值电压：	800 V	重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

110RIA80S90PBF 数据手册

111RIA Series

Bulletin I25204 01/01

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

Voltage Ratings

Voltage

Code

V_DRM/V_RRM, max. repetitive

V_RSM, maximum non-

I_DRM/I_RRMmax.

Type number

111RIA

peak and off-state voltage

repetitive peak voltage

@ T = T_Jmax.

400

800

500

900

^JmA

120

1200

1300

On-state Conduction

Parameter

111RIA

Units Conditions

I_T(AV)Max. average on-state current

@ Case temperature

110

°C

180° conduction, half sine wave

I_T(RMS)Max. RMS on-state current

172

2080

2180

1750

1830

21.7

19.8

15.3

14.0

217

DC @ 83°C case temperature

t = 10ms No voltage

t = 8.3ms reapplied

I_TSM

Max. peak, one-cycle

non-repetitive surge current

t = 10ms 100% V_RRM

t = 8.3ms reapplied

t = 10ms No voltage

t = 8.3ms reapplied

t = 10ms 100% V_RRM

t = 8.3ms reapplied

Sinusoidal half wave,

Initial T_J= T_Jmax.

I²t

Maximum I²t for fusing

KA²s

I²√t

Maximum I²√t for fusing

KA²√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied

V_T(TO)1Low level value of threshold

voltage

0.82

1.02

(16.7% x π x I_T(AV)< I < π x I_T(AV)), T_J= T_Jmax.

(I > π x I_T(AV)),T_J= T_Jmax.

V_T(TO)High level value of threshold

voltage

r_t1

Low level value of on-state

slope resistance

2.16

1.70

(16.7% x π x I_T(AV)< I < π x I_T(AV)), T_J= T_Jmax.

(I > π x I_T(AV)),T_J= T_Jmax.

mΩ

r_t2

High level value of on-state

slope resistance

V_TM

I_H

Max. on-state voltage

Maximum holding current

Typical latching current

1.57

150

400

I = 350A, T_J= T_Jmax., t = 10ms sine pulse

pk p

T_J= 25°C, anode supply 6V resistive load

I_L

Switching

Parameter

111RIA

300

Units Conditions

di/dt Max. non-repetitive rate of rise

of turned-on current

Gate drive 20V, 20Ω, t ≤ 1µs

A/µs

T_J= T_Jmax, anode voltage ≤ 80% V_DRM

Gate current 1A, di /dt = 1A/µs

Typical delay time

Typical turn-off time

= 0.67% V_DRM, T_J= 25°C

µs

I_TM= 50A, T_J= T_Jmax., di/dt = -5A/µs, V_R= 50V

dv/dt = 20V/µs, Gate 0V 25Ω

110

www.irf.com

123 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
110RKI	NAINA	Phase Control Thyristors, 100A	获取价格
110RKI	INFINEON	PHASE CONTROL THYRISTORS	获取价格
110RKI100S90	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208A	获取价格
110RKI100S90PBF	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208A	获取价格
110RKI120	INFINEON	PHASE CONTROL THYRISTORS	获取价格
110RKI120	VISHAY	Phase Control Thyristors (Stud Version), 110 A	获取价格

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