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110RKI120S90

更新时间: 2024-02-11 10:20:54
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极
页数 文件大小 规格书
7页 197K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

110RKI120S90 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.14Is Samacsys:N
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:100 mA
JEDEC-95代码:TO-209ACJESD-30 代码:O-MUPM-H3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:172 A
断态重复峰值电压:1200 V重复峰值反向电压:1200 V
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

110RKI120S90 数据手册

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
110RKI120S90PBF VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A

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