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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 10MQ060NTRPBF
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10MQ060NTRPBF

更新时间： 2024-01-28 21:45:10
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管光电二极管高功率电源
页数 文件大小 规格书
6页 171K
描述
SCHOTTKY RECTIFIER

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10MQ060NTRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：7.14其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：HIGH POWER配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.8 VJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：40 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：60 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

10MQ060NTRPBF 数据手册

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10MQ060N  
Bulletin PD-20519 rev. L 07/04  
Voltage Ratings  
Part number  
Max. DC Reverse Voltage (V)  
10MQ060N  
VR  
60  
VRWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)  
Absolute Maximum Ratings  
Parameters  
10MQ Units  
Conditions  
IF(AV) Max. Average Forward Current  
*SeeFig.4  
1.5  
A
50%dutycycle@TL = 120°C,rectangularwaveform.  
OnPCboard9mm2 island(.013mmthickcopperpad area)  
Following any rated  
load condition and  
IFSM Max. PeakOneCycleNon-Repetitive  
SurgeCurrent *SeeFig.6  
40  
10  
5µs Sineor3µsRect.pulse  
A
10msSineor6msRect. pulse with rated VRRM applied  
EAS Non-Repetitive Avalanche Energy  
2.0  
1.0  
mJ TJ =25°C,IAS =1A,L=4mH  
A
IAR  
Repetitive Avalanche Current  
Electrical Specifications  
Parameters  
10MQ Units  
Conditions  
VFM Max. Forward Voltage Drop  
(1)  
0.63  
0.71  
0.57  
0.63  
0.5  
V
V
V
V
@ 1A  
TJ = 25 °C  
* See Fig. 1  
@ 1.5A  
@ 1A  
@ 1.5A  
TJ = 125 °C  
IRM Max. Reverse Leakage Current (1)  
* See Fig. 2  
mA TJ = 25 °C  
mA TJ = 125 °C  
V
R = rated VR  
7.5  
VF(TO) Threshold Voltage  
0.45  
V
TJ = TJ max.  
rt  
Forward Slope Resistance  
86.8  
31  
mΩ  
pF  
C T Typical Junction Capacitance  
VR = 10VDC, TJ = 25°C, test signal = 1Mhz  
L S Typical Series Inductance  
dv/dt Max. Voltage Rate of Change  
(1) Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2%  
2.0  
10000  
nH Measured lead to lead 5mm from package body  
V/µs (Rated VR)  
Thermal-Mechanical Specifications  
Parameters  
10MQ Units  
Conditions  
TJ  
Max. Junction Temperature Range (*) -55 to150 °C  
Tstg Max. Storage Temperature Range  
-55 to150 °C  
RthJA Max. Thermal Resistance Junction  
to Ambient  
80  
°C/W DC operation  
wt  
Approximate Weight  
CaseStyle  
0.07(0.002) g (oz.)  
SMA  
Similar D-64  
Device Marking  
IR1H  
(*) dPtot  
dTj  
1
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j-a)  
2
www.irf.com  
123456

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