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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 10ETS12PBF
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10ETS12PBF

更新时间： 2024-02-24 02:11:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管高压局域网高压大电源高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 186K
描述
Input Rectifier Diode, 10 A

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10ETS12PBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-263包装说明：SMD-220, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.23
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

10ETS12PBF 数据手册

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Outline Dimensions  
Vishay Semiconductors  
TO-220AC  
DIMENSIONS in millimeters and inches  
B
Seating  
1
2
3
plane  
(6)  
A
D
D
E
A
Ø P  
0.014 M B AM  
A
L1  
E
(7)  
E2  
C
C
A1  
Thermal pad  
Q
(6)  
H1  
H1  
(7)  
D2 (6)  
2 x b2  
2 x b  
(6)  
Detail B  
D
Detail B  
θ
D1  
1
3
2
Lead tip  
L3  
L4  
C
E1 (6)  
Lead assignments  
Diodes  
L
1 + 2 - Cathode  
3 - Anode  
c
A
Conforms to JEDEC outline TO-220AC  
View A - A  
e1  
A2  
0.015 M B AM  
MILLIMETERS  
INCHES  
MIN.  
MILLIMETERS  
INCHES  
MIN.  
SYMBOL  
NOTES  
SYMBOL  
NOTES  
MIN.  
4.25  
1.14  
2.56  
0.69  
0.38  
1.20  
1.14  
0.36  
0.36  
14.85  
8.38  
11.68  
10.11  
MAX.  
4.65  
1.40  
2.92  
1.01  
0.97  
1.73  
1.73  
0.61  
0.56  
15.25  
9.02  
12.88  
10.51  
MAX.  
0.183  
0.055  
0.115  
0.040  
0.038  
0.068  
0.068  
0.024  
0.022  
0.600  
0.355  
0.507  
0.414  
MIN.  
6.86  
-
MAX.  
8.89  
0.76  
2.67  
5.28  
6.48  
14.02  
3.82  
2.13  
1.27  
3.73  
3.00  
MAX.  
0.350  
0.030  
0.105  
0.208  
0.255  
0.552  
0.150  
0.084  
0.050  
0.147  
0.118  
A
A1  
A2  
b
0.167  
0.045  
0.101  
0.027  
0.015  
0.047  
0.045  
0.014  
0.014  
0.585  
0.330  
0.460  
0.398  
E1  
E2  
e
0.270  
-
6
7
2.41  
4.88  
6.09  
13.52  
3.32  
1.78  
0.76  
3.54  
2.60  
0.095  
0.192  
0.240  
0.532  
0.131  
0.070  
0.030  
0.139  
0.102  
e1  
H1  
L
b1  
b2  
b3  
c
4
4
6, 7  
2
L1  
L3  
L4  
Ø P  
Q
c1  
D
4
3
2
D1  
D2  
E
6
90° to 93°  
90° to 93°  
3, 6  
Notes  
(1)  
Dimensioning and tolerancing as per ASME Y14.5M-1994  
Lead dimension and finish uncontrolled in L1  
Dimension D, D1 and E do not include mold flash. Mold flash shall not exceed 0.127 mm (0.005") per side. These dimensions are measured  
at the outermost extremes of the plastic body  
(2)  
(3)  
(4)  
(5)  
(6)  
(7)  
(8)  
Dimension b1, b3 and c1 apply to base metal only  
Controlling dimension: inches  
Thermal pad contour optional within dimensions E, H1, D2 and E1  
Dimension E2 x H1 define a zone where stamping and singulation irregularities are allowed  
Outline conforms to JEDEC TO-220, D2 (minimum) where dimensions are derived from the actual package outline  
Document Number: 95221  
Revision: 07-Mar-11  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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