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10ETS12PBF

更新时间: 2024-02-17 23:38:28
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威世 - VISHAY 整流二极管高压局域网高压大电源高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 186K
描述
Input Rectifier Diode, 10 A

10ETS12PBF 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-263包装说明:SMD-220, D2PAK-3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.23
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1200 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

10ETS12PBF 数据手册

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10ETS08PbF, 10ETS12PbF High Voltage Series  
Input Rectifier Diode, 10 A  
Vishay Semiconductors  
ORDERING INFORMATION TABLE  
Device code  
10  
E
T
S
12 PbF  
1
2
3
4
5
6
1
2
-
-
Current rating (10 = 10 A)  
Circuit configuration:  
E = Single diode  
3
4
-
-
Package:  
T = TO-220AC  
Type of silicon:  
S = Standard recovery rectifier  
Voltage code x 100 = VRRM  
None = Standard production  
PbF = Lead (Pb)-free  
08 = 800 V  
12 = 1200 V  
5
6
-
-
LINKS TO RELATED DOCUMENTS  
Dimensions  
www.vishay.com/doc?95221  
www.vishay.com/doc?95224  
Part marking information  
Document Number: 94337  
Revision: 22-Jul-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
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