10ETS12PBF

更新时间： 2024-01-26 10:03:48

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威世 - VISHAY		整流二极管高压局域网高压大电源高功率电源
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描述
Input Rectifier Diode, 10 A

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10ETS12PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-263	包装说明：	SMD-220, D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

10ETS12PBF 数据手册

10ETS08PbF, 10ETS12PbF High Voltage Series

Input Rectifier Diode, 10 A

Vishay Semiconductors

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

PARAMETER

SYMBOL

V_FM

TEST CONDITIONS

10 A, T_J= 25 °C

VALUES

1.1

UNITS

Maximum forward voltage drop

Forward slope resistance

Threshold voltage

m

r_t

T_J= 150 °C

V_F(TO)

0.82

0.05

0.50

T_J= 25 °C

Maximum reverse leakage current

I_RM

V_R= Rated V_RRM

T_J= 150 °C

THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

- 40 to 150

2.5

UNITS

Maximum junction and storage temperature range T_J, T_Stg

°C

Maximum thermal resistance, junction to case

R_thJC

DC operation

°C/W

Maximum thermal resistance, junction to ambient

(PCB mount)

(1)

R_thJA

T_S

Soldering temperature

240

°C

Approximate weight

0.07

oz.

10ETS08

Marking device

Case style TO-220AC

10ETS12

Note

When mounted on 1" square (650 mm²) PCB of FR-4 or G-10 material 4 oz. (140 μm) copper 40 °C/W

For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994

(1)

www.vishay.com

For technical questions within your region, please contact one of the following:

DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

Document Number: 94337

Revision: 22-Jul-10

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