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10ETF10

更新时间: 2024-02-06 05:03:13
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 114K
描述
FAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE

10ETF10 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-263
包装说明:R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.22Is Samacsys:N
其他特性:FREEWHEELING应用:FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.33 VJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:185 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向电流:100 µA
最大反向恢复时间:0.31 µs表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

10ETF10 数据手册

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10ETF.. QUIETIR Series  
I2146 rev. A 11/99  
1 80  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
At A n y R a ted Loa d C o n d ition An d W ith  
M a ximu m Non R epetitive Surge C urrent  
Versus Pulse Train Duration.  
R a te d  
V
Ap p lied Fo llo w in g S u rg e .  
RRM  
1 60  
1 40  
1 20  
1 00  
8 0  
In itia l T  
= 150 °C  
In itial T = 150°C  
J
J
@
@
60 H z 0.008 3 s  
50 H z 0.010 0 s  
No Voltage Reapplied  
Rated V  
Reapplied  
RR M  
6 0  
10ETF.. Series  
60  
10E TF.. Se ries  
4 0  
40  
0.01  
1
1 0  
10 0  
0.1  
Pulse Train Duration (s)  
1
N um b er O f Eq ua l A m plitu de Half C ycle C urrent P u ls es (N)  
Fig.6-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent  
Fig.5-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent  
1000  
T
= 25°C  
J
100  
10  
1
T
= 150°C  
J
10ETF.. Series  
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
4.5  
Instantaneous Forward Voltage (V)  
Fig.7-ForwardVoltageDropCharacteristics  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
0 .8  
1 0ET F.. S er ies  
1 0ET F.. S eries  
150 ° C  
T
=
25 °C  
T
=
J
J
0 .6  
0 .4  
0 .2  
0
I
=
10 A  
8 A  
FM  
I
=
10 A  
8
FM  
5 A  
A
2
A
5
A
1 A  
2 A  
1
A
0
4 0  
80  
12 0  
16 0  
20 0  
0
40  
8 0  
12 0  
1 60  
2 00  
R a te O f F a ll O f Fo rw a rd C u rren t - d i/d t (A /µs )  
Ra te O f Fa ll O f F orw a rd C u rren t - d i/d t (A/µ s)  
Fig.8-RecoveryTimeCharacteristics,TJ =25°C  
Fig.9-RecoveryTimeCharacteristics,TJ=150°C  
4

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10ETF10S VISHAY Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, SMD-220, TO-220

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