10ETF10

更新时间： 2024-02-24 19:53:31

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管软恢复二极管快速软恢复二极管
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描述
FAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE

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10ETF10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-263
包装说明：	R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREEWHEELING	应用：	FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.33 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	185 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向电流：	100 µA
最大反向恢复时间：	0.31 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

10ETF10 数据手册

10ETF.. QUIETIR Series

I2146 rev. A 11/99

Voltage Ratings

V_RRM, maximum

peak reverse voltage

V_RSM, maximum non repetitive

I_RRM

150°C

Part Number

peak reverse voltage

10ETF10

10ETF12

1000

1200

1100

1300

Absolute Maximum Ratings

Parameters

10ETF..

Units

Conditions

I_F(AV)Max.AverageForwardCurrent

@T_C=125°C,180°conductionhalfsinewave

I_FSMMax.PeakOneCycleNon-Repetitive

SurgeCurrent

160

185

128

180

1800

10msSinepulse,ratedV_RRMapplied

10msSine pulse,novoltagereapplied

10msSinepulse,ratedV_RRMapplied

10msSinepulse,novoltagereapplied

t=0.1to10ms,novoltagereapplied

I²t

Max.I²tforfusing

A²s

I²√t Max.I²√tforfusing

A²√s

Electrical Specifications

Parameters

10ETF..

1.33

Units

Conditions

V_FMMax. Forward Voltage Drop

@ 10A, T_J= 25°C

r_t

Forward slope resistance

22.9

0.96

0.1

mΩ

T_J= 150°C

V_F(TO)Threshold voltage

I_RMMax. Reverse Leakage Current

T_J= 25 °C

V_R= rated V_RRM

T_J= 150 °C

Recovery Characteristics

Parameters

10ETF.. Units

Conditions

I_F@ 10Apk

@ 25A/ µs

t_rr

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Current

Reverse Recovery Charge

Typical Snap Factor

310

4.7

I_rr

Q_rr

1.05

0.6

µC

@ 25°C

123 4 5 6 7

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