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10BF80

更新时间： 2024-02-15 03:05:41

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威世 - VISHAY		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	41K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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10BF80 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-50 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
最大反向恢复时间：	0.1 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

10BF80 数据手册

10BF.. Series

Preliminary Data Sheet PD-20482 rev. B 06/99

Voltage Ratings

V_RRM, maximum

V_DC, maximum

blocking voltage

I_RRM

100°C

µA

Part Number

peak reverse voltage

10BF10

10BF20

10BF40

10BF60

10BF80

100

200

400

600

800

100

200

400

600

800

100

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Parameters

10BF..

10 20 40 60 80

Units Conditions

I_F(AV)Maximum AverageForwardCurrent

I_FSMPeakForwardSurgeCurrent

@T_L=100°C

8.3mssinglehalfsinewavesuperimposed

onratedload(JEDECMethod)T_A=55°C

V_FMMax.InstantaneousForwardVoltage

I_RMMaximumDCReverseCurrent

atRatedDCBlockingVoltage

0.95

1.4

1.7

@3A

µA T_A=25°C

100

T_A=100°C

t_rr

ReverseRecoveryTime

100

ns I_F= 0.5A, I_R= 1.0A, I_rr= 0.25A

C_JTypicalJunctionCapacitance

R_thJMaximumThermalResistance

T_JOperatingTemperatureRange

T_stgStorageTemperatureRange

wt ApproximateWeight

@1.0MHzappliedreversevoltageof4.0V

°C/W 8.0mm²(.013mmthick)landareas

-50to150

°C

-50to150

°C

0.21(0.007)

SMB/DO-214AA

g(oz)

CaseStyle

JEDEC moldedplastic

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

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