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10A04-TP

更新时间: 2024-02-25 11:42:49
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 418K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-6, 2 PIN

10A04-TP 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.66
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:400 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向电流:10 µA表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

10A04-TP 数据手册

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10A01 thru 10A07  
M C C  
TM  
Micro Commercial Components  
100  
12  
10  
8.0  
10  
6.0  
4.0  
2.0  
1.0  
0.1  
Tj = 25ºC  
0
0
Pulse Width = 300 ms  
2% Duty Cycle  
50  
100  
150  
200  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
T , AMBIENT TEMPERATURE (ºC)  
A
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)  
Fig. 2 Typical Forward Characteristics  
Fi  
g. 1 Forward Current Derating Curve  
750  
600  
450  
1000  
Tj = 25°C  
f = 1MHz  
10A01 - 10A04  
100  
10A05 - 10A07  
300  
10  
150  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
JEDEC Method  
1.0  
0
1
10  
100  
100  
10  
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz  
Fig. 3 Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
1
VR, REVERSE VOLTAGE (V)  
Fig. 4 Typical Junction Capacitance  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
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