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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 104MT100KBPBF
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104MT100KBPBF

更新时间： 2024-02-25 07:07:29
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极触发装置可控硅整流器电源电路开关局域网
页数 文件大小 规格书
9页 183K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 6 Element, LEAD FREE, INT-A-PAK-6

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104MT100KBPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
针数：12Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：5.12Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：3 BANKS, ANTI-PARALLEL, 2 ELEMENTS最大直流栅极触发电流：150 mA
最大直流栅极触发电压：1.7 V快速连接描述：6G
螺丝端子的描述：6AK最大维持电流：200 mA
JESD-30 代码：R-XUFM-X12最大漏电流：40 mA
通态非重复峰值电流：1180 A元件数量：6
端子数量：12最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
断态重复峰值电压：1000 V重复峰值反向电压：1000 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

104MT100KBPBF 数据手册

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54-94-104MT..KPbF Series  
Three Phase AC Switch  
(Power Modules), 50 A to 100 A  
Vishay High Power Products  
1100  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
1200  
At any rated load condition and with  
Maximum non-repetitive surge current  
versus pulse train duration. Control  
of conduction may not be maintained.  
Initial TJ = 125 °C  
rated VRRM applied following surge.  
Initial TJ = 125 °C  
1100  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
at 60 Hz 0.0083 s  
at 50 Hz 0.0100 s  
No voltage reapplied  
Rated VRRM reapplied  
104MT..K Series  
Per junction  
104MT..K Series  
Per junction  
1
10  
100  
0.01  
0.1  
1
Number of Equal Amplitude Half  
Pulse Train Duration (s)  
Cycle Current Pulses (N)  
Fig. 14 - Maximum Non-Repetitive Surge Current  
Fig. 15 - Maximum Non-Repetitive Surge Current  
10  
Steady state value  
R
thJC = 1.05 K/W  
54MT..K Series  
104MT..K Series  
RthJC = 0.77 K/W  
RthJC = 0.69 K/W  
(DC operation)  
94MT..K Series  
1
0.1  
0.01  
Per junction  
0.001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
Square Wave Pulse Duration (s)  
Fig. 16 - Thermal Impedance ZthJC Characteristics  
100  
10  
1
Rectangular gate pulse  
a) Recommended load line for  
rated dI/dt: 20 V, 30 Ω  
(1) PGM = 100 W, tp = 500 µs  
(2) PGM = 50 W, tp = 1 ms  
(3) PGM = 20 W, tp = 25 ms  
(4) PGM = 10 W, tp = 5 ms  
tr = 0.5 µs, tp ≥ 6 µs  
b) Recommended load line for  
≤ 30 % rated dI/dt: 20 V, 65 Ω  
tr = 1 µs, tp ≥ 6 µs  
(a)  
(b)  
(1)  
(4) (3)  
(2)  
VGD  
IGD  
Frequency limited by PG(AV)  
10 100  
54/ 94/ 104MT..K Series  
0.1  
0.1  
0.001  
0.01  
1
1000  
Instantaneous Gate Current (A)  
Fig. 17 - Gate Characteristics  
Document Number: 94351  
Revision: 05-May-08  
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
www.vishay.com  
7
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
104MT100KBS90 ETC THYRISTOR MODULE|AC SWITCH|TRIPLE|FULLY-CNTLD|1KV V(RRM)|100A I(T)

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104MT100KBS90PBF INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 100000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 6 E

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104MT100KPBF VISHAY Three Phase AC Switch (Power Modules), 50 A to 100 A

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104MT120K ETC 1200V 3 Phase Bridge in a INT-A-Pak package

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104MT120KB ETC THYRISTOR MODULE|AC SWITCH|TRIPLE|FULLY-CNTLD|1.2KV V(RRM)|100A I(T)

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