100BGQ045J

更新时间： 2024-02-14 05:50:02

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SCHOTTKY RECTIFIER

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100BGQ045J 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PSFM-X1	针数：	1
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.52 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-X1	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	4400 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	100 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	45 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

100BGQ045J 数据手册

100BGQ045, 100BGQ045J

PD-20709 rev. C 11/99

1 2 0

1 0 0

8 0

1 5 0

1 4 0

1 3 0

0 .2 0

0 .2 5

0 .3 3

0 .5 0

0 .7 5

D C

1 2 0

1 1 0

1 0 0

RM S Lim it

D C

6 0

Sq u a re w a v e ( D

0 .5 0 )

9 0

8 0

7 0

6 0

5 0

8 0 % Ra t e d

a p p lie d

4 0

2 0

s e e n o te (3 )

2 0

4 0

6 0

8 0

1 0 0 1 2 0 1 4 0 1 6 0

2 0

4 0

6 0

8 0

1 0 0 1 2 0 1 4 0 1 6 0

( A )

A v e ra g e Fo rw a rd C u rre n t

( A )

F(A V)

A v e ra g e Fo rw a rd C u rre n t

F(AV )

Fig.5-MaximumAllowableCaseTemperature

Vs.AverageForwardCurrent

Fig.6-Forward Power Loss Characteristics

10 0 0 0

1 0 0 0

A t A n y Ra t e d Lo a d C o n d itio n

A n d W it h Ra t e d

Fo llo w in g Su rg e

A p p lie d

RRM

1 00

1 0

1 00

1 00 0

1 00 00

Sq u a re W a v e P u lse D u ra t io n

(m ic ro se c )

Fig.7-MaximumNon-Repetitive^pSurgeCurrent

H IG H - SP E ED

SW ITC H

IRFP4 60

D UT

FR EE- W H EEL

D IO D E

Rg = 25 o h m

V d

= 2 5 V o lt

URRE N T

40 HFL4 0 S02

M O N ITO R

Fig.8-Unclamped Inductive Test Circuit

(3) Formula used: T_C= T_J- (Pd + Pd_REV) x R_thJC

;

Pd = Forward Power Loss = I_F(AV)x V_FM@ (I_F(AV)/ D) (see Fig. 6);

Pd_REV= Inverse Power Loss = V_R1x I_R(1 - D); I_R@ V_R1= 80% rated V_R

www.irf.com

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