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100321FCQR

更新时间： 2024-01-14 13:12:00
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅输入元件逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
6页 104K
描述
IC 100K SERIES, 9 1-INPUT INVERT GATE, CQFP24, CERPACK-24, Gate

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100321FCQR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：QFF, QFL24,.4SQ针数：24
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.81Is Samacsys：N
系列：100KJESD-30 代码：S-GQFP-F24
JESD-609代码：e0长度：9.398 mm
逻辑集成电路类型：INVERTER功能数量：9
输入次数：1端子数量：24
最高工作温度：85 °C最低工作温度：
输出特性：OPEN-EMITTER封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：QFF封装等效代码：QFL24,.4SQ
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：-4.5 V
最大电源电流（ICC）：65 mAProp。Delay @ Nom-Sup：1.55 ns
传播延迟（tpd）：1.35 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：2.159 mm
子类别：Gates表面贴装：YES
技术：ECL温度等级：OTHER
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：9.398 mm
Base Number Matches：1

100321FCQR 数据手册

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Absolute Maximum Ratings (Note 1)  
ESD (Note 2)  
≥2000V  
If Military/Aerospace specified devices are required,  
please contact the National Semiconductor Sales Office/  
Distributors for availability and specifications.  
Recommended Operating  
Conditions  
Case Temperature (TC)  
Military  
Above which the useful life may be impaired  
Storage Temperature (TSTG  
)
−65˚C to +150˚C  
−55˚C to +125˚C  
−5.7V to −4.2V  
Maximum Junction Temperature (TJ)  
Ceramic  
Supply Voltage (VEE  
)
+175˚C  
+150˚C  
Note 1: Absolute maximum ratings are those values beyond which the de-  
vice may be damaged or have its useful life impaired. Functonal operation  
under these conditions is not implied.  
Plastic  
VEE Pin Potential to Ground Pin  
Input Voltage (DC)  
−7.0V to +0.5V  
VEE to +0.5V  
−50 mA  
Note 2: ESD testing conforms to MIL-STD-883, Method 3015.  
Output Current (DC Output HIGH)  
Military Version  
DC Electrical Characteristics  
=
=
=
=
VEE −4.2V to −5.7V, VCC VCCA GND, TC −55˚C to +125˚C  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
TC  
Conditions  
Notes  
VOH  
Output HIGH Voltage −1025 −870  
mV  
O˚C to  
+125˚C  
−55˚C  
=
−1085 −870  
mV  
mV  
VIN VIH (Max)  
Loading with  
(Notes 3, 4, 5)  
VOL  
Output LOW Voltage  
−1830 −1620  
−1830 −1555  
0˚C to  
or VIL (Min)  
50Ω to −2.0V  
+125˚C  
−55˚C  
mV  
mV  
VOHC  
Output HIGH Voltage −1035  
0˚C to  
+125˚C  
−55˚C  
=
−1085  
mV  
mV  
VIN VIH (Min)  
Loading with  
(Notes 3, 4, 5)  
VOLC  
Output LOW Voltage  
−1610  
−1555  
0˚C to  
or VIL (Max)  
50Ω to −2.0V  
+125˚C  
−55˚C  
mV  
mV  
VIH  
VIL  
IIL  
Input HIGH Voltage  
Input LOW Voltage  
Input LOW Current  
Input HIGH Current  
−1165 −870  
−1830 −1475  
0.50  
−55˚C to  
+125˚C  
−55˚C to  
+125˚C  
−55˚C to  
+125˚C  
0˚C to  
Guaranteed HIGH Signal  
for All Inputs  
(Notes 3, 4, 5,  
6)  
mV  
µA  
µA  
Guaranteed LOW Signal  
for All Inputs  
(Notes 3, 4, 5,  
6)  
=
VEE −4.2V  
(Notes 3, 4, 5)  
=
VIN VIL (Min)  
IIH  
240  
=
VEE −5.7V  
+125˚C  
−55˚C  
(Notes 3, 4, 5)  
(Notes 3, 4, 5)  
=
340  
µA  
VIN VIH (Max)  
IEE  
Power Supply  
Current  
−55˚C to  
−70  
−25  
mA  
Inputs Open  
+125˚C  
Note 3: F100K 300 Series cold temperature testing is performed by temperature soaking (to guarantee junction temperature equals −55˚C), then testing immediately  
without allowing for the junction temperature to stabilize due to heat dissipation after power-up. This provides “cold start” specs which can be considered a worst case  
condition at cold temperatures.  
Note 4: Screen tested 100% on each device at −55˚C, +25˚C, and +125˚C, Subgroups 1, 2, 3, 7, and 8.  
Note 5: Sample tested (Method 5005, Table I) on each manufactured lot at −55˚C, +25˚C and +125˚C, Subgroups A1, 2, 3, 7, and 8.  
Note 6: Guaranteed by applying specified input condition and testing V /V  
.
OH OL  
www.national.com  
2
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