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10-FZ062PA100SA-P994F08 PDF预览

10-FZ062PA100SA-P994F08

更新时间： 2024-02-01 23:16:14
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VINCOTECH 栅
页数 文件大小 规格书
15页 373K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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10-FZ062PA100SA-P994F08 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73Is Samacsys：N
Base Number Matches：1

10-FZ062PA100SA-P994F08 数据手册

 浏览型号10-FZ062PA100SA-P994F08的Datasheet PDF文件第1页浏览型号10-FZ062PA100SA-P994F08的Datasheet PDF文件第2页浏览型号10-FZ062PA100SA-P994F08的Datasheet PDF文件第4页浏览型号10-FZ062PA100SA-P994F08的Datasheet PDF文件第5页浏览型号10-FZ062PA100SA-P994F08的Datasheet PDF文件第6页浏览型号10-FZ062PA100SA-P994F08的Datasheet PDF文件第7页 
FZ06 / F0062PA100SA  
preliminary datasheet  
Characteristic Values  
Conditions  
Value  
Typ  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Vr [V] or  
VGE [V] or  
IC [A] or  
IF [A] or  
ID [A]  
V
CE [V] or  
DS [V]  
Tj  
Min  
Max  
V
GS [V]  
V
Inverter Transistor  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
5
1
5,8  
6,5  
2,1  
VGE(th)  
VCE(sat)  
ICES  
IGES  
Rgint  
td(on)  
tr  
VCE=VGE  
Gate emitter threshold voltage  
Collector-emitter saturation voltage  
Collector-emitter cut-off current incl. Diode  
Gate-emitter leakage current  
Integrated Gate resistor  
Turn-on delay time  
0,0016  
100  
V
V
1,63  
1,84  
15  
0
0,66  
700  
600  
0
mA  
nA  
Ω
20  
2
Tj=25°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
156  
162  
20  
Rise time  
27  
ns  
212  
242  
99  
116  
0,92  
1,4  
td(off)  
tf  
Turn-off delay time  
Rgoff=4 Ω  
Rgon=4 Ω  
±15  
300  
100  
Fall time  
Eon  
Turn-on energy loss per pulse  
Turn-off energy loss per pulse  
Input capacitance  
mWs  
pF  
2,68  
3,55  
Eoff  
Cies  
6160  
384  
183  
620  
0,75  
Coss  
Crss  
QGate  
RthJH  
RthJC  
Output capacitance  
f=1MHz  
0
25  
Tj=25°C  
Tj=25°C  
Reverse transfer capacitance  
Gate charge  
±15  
nC  
Thermal grease  
thickness≤50um  
λ = 1 W/mK  
Thermal resistance chip to heatsink per chip  
Thermal resistance chip to case per chip  
K/W  
Inverter Diode  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
Tj=150°C  
1
1,58  
1,53  
105,29  
131,1  
116  
2,2  
VF  
IRRM  
trr  
Diode forward voltage  
50  
V
A
Peak reverse recovery current  
Reverse recovery time  
ns  
138  
4,92  
9,11  
4869  
3253  
1,13  
2,15  
Qrr  
Reverse recovered charge  
Peak rate of fall of recovery current  
Reverse recovered energy  
Thermal resistance chip to heatsink per chip  
Thermal resistance chip to case per chip  
Rgon=4 Ω  
±15  
300  
100  
μC  
di(rec)max  
/dt  
A/μs  
mWs  
Erec  
RthJH  
RthJC  
Thermal grease  
thickness≤50um  
λ = 1 W/mK  
1,16  
K/W  
copyright Vincotech  
3
Revision: 1  
1234567...15

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与10-FZ062PA100SA-P994F08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
10-FZ062PA150SA01-P995F18 VINCOTECH

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor
10-FZ062PA200SA01-P996F18 VINCOTECH

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10-FZ062TA030 VINCOTECH

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10-FZ062TA030FB01-P983D28 VINCOTECH

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