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10-FZ062PA150SA01-P995F18

更新时间： 2023-07-15 00:00:00
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VINCOTECH 栅
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15页 381K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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10-FZ062PA150SA01-P995F18 数据手册

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FZ06 / F0062PA150SA01  
preliminary datasheet  
flowPHASE0  
600V/150A  
Features  
flow0 housing  
● Trench Fieldstop IGBT3 technology  
● 2-clip housing in 12mm and 17mm height  
● Compact and low inductance design  
● AlN substrate for improved performance  
Target Applications  
Schematic  
● Motor Drive  
● UPS  
Types  
● FZ062PA150SA01  
● F0062PA150SA01  
Maximum Ratings  
Tj=25°C, unless otherwise specified  
Condition  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Inverter Transistor  
VCE  
IC  
ICpulse  
Ptot  
Collector-emitter break down voltage  
DC collector current  
600  
V
A
Th=80°C  
Tc=80°C  
142  
183  
Tj=Tjmax  
tp limited by Tjmax  
Tj=Tjmax  
Repetitive peak collector current  
Power dissipation per IGBT  
Gate-emitter peak voltage  
Short circuit ratings  
450  
A
Th=80°C  
Tc=80°C  
264  
400  
W
V
VGE  
±20  
tSC  
Tj≤150°C  
6
μs  
VCC  
VGE=15V  
360  
V
Tjmax  
Maximum Junction Temperature  
175  
°C  
Inverter Diode  
Tj=25°C  
VRRM  
IF  
IFRM  
Ptot  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC forward current  
600  
V
A
Th=80°C  
Tc=80°C  
120  
150  
Tj=Tjmax  
tp limited by Tjmax  
Tj=Tjmax  
Repetitive peak forward current  
Power dissipation per Diode  
Maximum Junction Temperature  
450  
A
Th=80°C  
Tc=80°C  
174  
264  
W
°C  
Tjmax  
175  
copyright Vincotech  
1
Revision: 1  
1234567...15

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