1.4KESD40A

更新时间： 2024-01-29 13:06:19

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1.4KESD40A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-35	包装说明：	HERMETIC SELAD, GLASS, DO-35, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.92	最小击穿电压：	44.4 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	84.2 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AH
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	1400 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1.4KESD5.0 thru 1.4KESD170CA, e3

AXIAL-LEAD TVS

S C O T T S D A L E D I V I S I O N

Breakdown Voltage V_(BR)in Volts

FIGURE 4

FIGURE 2

Capacitance vs. V_(BR)for unidirectional.

Clamping Factor vs. Breakdown Voltage for Various Power Levels

For Bidirectional, value is one-half that

shown at zero volts.

PACKAGE DIMENSIONS

DO-35

3-29-2006 REV B

Microsemi

Page 4

Scottsdale Division

8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1.4KESD40AE3	MICROSEMI	AXIAL-LEAD TVS	获取价格
1.4KESD40AE3TR	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1400W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-	获取价格
1.4KESD40ATR	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1400W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-	获取价格
1.4KESD40ATRE3	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 40V V(RWM), Unidirectional,	获取价格
1.4KESD40C	ETC	Transient Voltage Suppressor	获取价格
1.4KESD40CATRE3	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 40V V(RWM), Bidirectional,	获取价格