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1.4KESD33TRE3

更新时间: 2024-01-06 10:18:21
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 173K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 33V V(RWM), Unidirectional,

1.4KESD33TRE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.68
最大钳位电压:73.4 V二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性:UNIDIRECTIONAL最大重复峰值反向电压:33 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

1.4KESD33TRE3 数据手册

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1.4KESD5.0 thru 1.4KESD170CA, e3  
AXIAL-LEAD TVS  
S C O T T S D A L E D I V I S I O N  
Breakdown Voltage V(BR) in Volts  
FIGURE 4  
FIGURE 2  
Capacitance vs. V(BR) for unidirectional.  
Clamping Factor vs. Breakdown Voltage for Various Power Levels  
For Bidirectional, value is one-half that  
shown at zero volts.  
PACKAGE DIMENSIONS  
DO-35  
Copyright © 2006  
3-29-2006 REV B  
Microsemi  
Page 4  
Scottsdale Division  
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503  

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