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Datasheet > 电信电路 > 网络接口> 0ICAG-001-XTD
0ICAG-001-XTD PDF预览

0ICAG-001-XTD

更新时间： 2024-01-24 01:47:45
品牌 Logo 应用领域
AMI 网络接口电信集成电路电信电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 646K
描述
High Speed CAN Transceiver

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0ICAG-001-XTD 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
包装说明：0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.81Is Samacsys：N
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3/e4
长度：4.9 mm功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.72 mm
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
电信集成电路类型：INTERFACE CIRCUIT温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

0ICAG-001-XTD 数据手册

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AMIS-42673 High Speed CAN Transceiver  
Data Sheet  
For Long Networks  
8.0 Electrical Characteristics  
8.1 Definitions  
All voltages are referenced to GND (pin 2). Positive currents flow into the IC. Sinking current means that the current is flowing into the  
pin. Sourcing current means that the current is flowing out of the pin.  
8.2 Absolute Maximum Ratings  
Stresses above those listed in Table 4 may cause permanent device failure. Exposure to absolute maximum ratings for extended  
periods may effect device reliability.  
Table 4: Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min.  
-0.3  
-0.3  
-45  
Max.  
+7  
Unit  
V
Supply voltage  
VCC  
V33  
VCANH  
VCANL  
VTxD  
VRxD  
VREF  
Vtran(CANH)  
Vtran(CANL)  
Vtran(VREF)  
I/O interface voltage  
+7  
V
DC voltage at pin CANH  
DC voltage at pin CANL  
DC voltage at pin TxD  
DC voltage at pin RxD  
DC voltage at pin VREF  
Transient voltage at pin CANH  
Transient voltage at pin CANL  
Transient voltage at pin VREF  
0 < VCC < 5.25V; no time limit  
0 < VCC < 5.25V; no time limit  
+45  
V
-45  
+45  
V
-0.3  
-0.3  
-0.3  
-150  
-150  
-150  
VCC + 0.3  
VCC + 0.3  
VCC + 0.3  
+150  
V
V
V
V
Note 1  
Note 1  
Note 1  
+150  
V
+150  
V
Electrostatic discharge voltage at  
CANH and CANL pin  
Electrostatic discharge voltage at all  
other pins  
Static latch-up at all pins  
Storage temperature  
Note 2  
Note 5  
Note 3  
Note 5  
Note 4  
-8  
-500  
-4  
+8  
+500  
+ 4  
+250  
100  
+155  
+125  
+150  
kV  
V
kV  
V
Vesd(CANL/CANH)  
Vesd  
-250  
Latch-up  
Tstg  
Tamb  
mA  
-55  
-40  
-40  
°C  
°C  
°C  
Ambient temperature  
Maximum junction temperature  
Tjunc  
Notes:  
1) Applied transient waveforms in accordance with “ISO 7637 part 3”, test pulses 1, 2, 3a, and 3b (see Figure 4).  
2) Standardized human body model system ESD pulses in accordance to IEC 1000.4.2.  
3) Standardized human body model ESD pulses in accordance to MIL883 method 3015. Supply pin 8 is ±4kV.  
4) Static latch-up immunity: static latch-up protection level when tested according to EIA/JESD78.  
5) Standardized charged device model ESD pulses when tested according to EOS/ESD DS5.3-1993.  
8.3 Thermal Characteristics  
Table 5: Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
In free air  
In free air  
Value  
Unit  
Thermal resistance from junction to ambient in SO8 package  
Thermal resistance from junction to substrate of bare die  
145  
45  
K/W  
K/W  
Rth(vj-a)  
Rth(vj-s  
)
AMI Semiconductor – October 07, Rev. 1.0  
www.amis.com Specifications subject to change without notice  
5
 
12345678...12

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