Datasheet > 08051J3R9BBT

08051J3R9BBT

更新时间： 2024-02-15 07:34:47

品牌	Logo	应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	126K
描述
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

08051J3R9BBT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	, 0805
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8532.25.00.45	Factory Lead Time：	14 weeks
风险等级：	5.72	电容：	0.0000039 µF
电容器类型：	FILM CAPACITOR	介电材料：	SILICON DIOXIDE AND OXYNITRIDE
高度：	0.93 mm	JESD-609代码：	e3
长度：	2.01 mm	安装特点：	SURFACE MOUNT
负容差：	6.41%	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装形状：	RECTANGULAR PACKAGE	封装形式：	SMT
包装方法：	TR, 7/13 INCH	正容差：	6.41%
额定（直流）电压（URdc）：	100 V	参考标准：	AEC-Q200
尺寸代码：	0805	表面贴装：	YES
温度系数：	30ppm/Cel ppm/ °C	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状：	WRAPAROUND	宽度：	1.27 mm
Base Number Matches：	1

08051J3R9BBT 数据手册

TYPICAL CHARACTERISTICS

−10

−20

IRL

−20

−30

−40

−50

−60

= 12 Vdc, I = 85 mA

f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP W−CDMA

−30

−40

−50

−60

Γ = 0.868é−115.15_, Γ = 0.764é−139.11_

ACPR

0.01

0.1

, OUTPUT POWER (WATTS)

out

Figure 3. W-CDMA ACPR and Input Return

Loss versus Output Power

17.5

PAE

= 12 Vdc, I = 85 mA

f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP W−CDMA

Γ = 0.868é−115.18_, Γ = 0.764é−139.11_

12.5

7.5

2.5

0.01

0.1

, OUTPUT POWER (WATTS)

out

Figure 4. Transducer Gain and Power Added

Efficiency versus Output Power

NOTE: All data is referenced to package lead interface. Γ_SandΓ_Lare the impedances presented to the DUT.

All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.

MRFG35005MT1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

1 2 3 456 7 8...12

下载PDF

与08051J3R9BBT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
08051J3R9BBTTR	KYOCERA AVX	Thin Film Capacitor	获取价格
08051J3R9BBTTR\500	KYOCERA AVX	Thin Film Capacitor	获取价格
08051J3R9C4TTR	KYOCERA AVX	Thin Film Capacitor	获取价格
08051J3R9C4TTR\500	KYOCERA AVX	Thin Film Capacitor	获取价格
08051J3R9CBTTR	KYOCERA AVX	Thin Film Capacitor	获取价格
08051J3R9CBTTR\500	KYOCERA AVX	Thin Film Capacitor	获取价格