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ZXTP19060CFF

更新时间： 2024-02-21 06:46:55
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捷特科 - ZETEX 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 451K
描述
60V, SOT23F, PNP medium power transistor

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ZXTP19060CFF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-89
包装说明：SOT-89, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：1.22
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：4.5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：26.7 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzBase Number Matches：1

ZXTP19060CFF 数据手册

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ZXTP19060CFF  
Electrical characteristics (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
amb  
Parameter  
Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions  
Collector-base breakdown  
voltage  
BV  
-60  
-60  
-7  
-110  
-90  
V
V
V
V
I = -100␮A  
C
CBO  
CEO  
EBO  
ECX  
(*)  
Collector-emitter breakdown BV  
voltage (base open)  
I = -10mA  
C
Emitter-base breakdown  
voltage  
BV  
-8.4  
-8.4  
I = -100␮A  
E
Emitter-collector breakdown BV  
voltage (reverse blocking)  
-7  
I = -100␮A, R < 1k⍀ or  
E BC  
0.25V > V  
> -0.25V  
BC  
Emitter-collector breakdown BV  
voltage (base open)  
-7  
-8.8  
<-1  
V
I = -100␮A,  
E
ECO  
Collector-base cut-off current  
I
-50  
-50  
-50  
-75  
nA  
␮A  
nA  
mV  
V
V
V
= -48V  
CBO  
CB  
CB  
EB  
= -48V, T  
= -5.6V  
= 100°C  
amb  
Emitter-base cut-off current  
I
<-1  
-60  
EBO  
(*)  
Collector-emitter saturation  
voltage  
V
I = -1A, I = -100mA  
CE(sat)  
C
B
(*)  
-140 -200  
-180 -270  
mV  
mV  
I = -1A, I = -20mA  
C
B
(*)  
(*)  
I = -4A, I = -400mA  
C
B
Base-emitter saturation  
voltage  
V
V
-935 -1050 mV  
I = -4A, I = -400mA  
BE(sat)  
C
B
(*)  
Base-emitter turn-on voltage  
-835 -950 mV  
I = -4A, V = -2V  
BE(on)  
FE  
C
CE  
(*)  
Static forward current transfer h  
ratio  
200  
160  
30  
350  
280  
50  
500  
I = -100mA, V = -2V  
C
CE  
(*)  
I = -1A, V = -2V  
C
CE  
(*)  
I = -4A, V = -2V  
C
CE  
Transition frequency  
Output capacitance  
f
180  
MHz I = -50mA, V = -10V  
T
C
CE  
f = 50MHz  
(*)  
C
29.5  
40  
pF  
V
V
= -10V, f = 1MHz  
= -10V.  
obo  
CB  
CC  
Delay time  
Rise time  
t
t
t
t
24.3  
13.2  
456  
ns  
ns  
ns  
ns  
d
I = -500mA,  
C
r
s
f
I
= -50mA, I = -50mA.  
B1  
B2  
Storage time  
Fall time  
68.2  
NOTES:  
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ300␮s; duty cycle Յ2%.  
Issue 1 - May 2007  
© Zetex Semiconductors plc 2007  
4
www.zetex.com  
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ZXTP19060CFFTA ZETEX

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