Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZTX1055ASTOA

ZTX1055ASTOA

更新时间： 2024-09-30 13:16:15

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	124K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3 PIN

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ZTX1055ASTOA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-92, 3 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.18	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	Base Number Matches：	1

ZTX1055ASTOA 数据手册

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 3 JANUARY 1995

ZTX1055A

FEATURES

V_CEO=120V

3 Amp continuous Current

6 Amp pulse Current

Very Low Saturation Voltage

APPLICATIONS

Automotive Switching Circuit

Audio Driver Stages

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

175

120

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

I_B

500

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

P_tot

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +200

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZTX1055ASTOB	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3
ZTX1055ASTOE	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3
ZTX1055ASTOF	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3
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ZTX1056	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
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ZTX1056ASTOE	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3
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